ブラックシリコンは、一般的な半導体材料であるシリコンの100~500倍もの感度を有すると言われています。 また、InGaAsのような規制がなく既存のCMOSプロセス技術と互換性があるので安価に近赤外領域を撮影することができます。
そのブラックシリコン構造で設計されたSiOnyx社のXQE-0920に続きXQE-1350も搭載、冷却によりノイズを限りなく抑えた近赤外領域に非常に感度が高い冷却CMOSカメラシステムCS-64NIRより画素数の多いCS-703NIRもリリースしました。 評価用貸し出し機も準備しましたので、是非一度お試しください。
製品名 | CS-64NIR | CS-703NIR |
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デバイス | XQE-0920(モノクロ) | XQE-1350(モノクロ) |
対応波長領域 | 400~1200nm | 350nm~1100nm |
ピクセル数 | 1280×720(92万画素) | 1280×1024(131万画素) |
ピクセルサイズ | 5.6×5.6µm | 9.5×9.5μm |
受光面積 | 7.17×4.03mm | 12.160×9.728mm |
ゲイン倍率 | 最大8倍 | 最大16倍 |
A/D変換 | 12ビット(38fps) | 12ビット(115fps) |
冷却方式 | ペルチェ素子冷却・水冷機構付き | |
レンズマウント | Cマウント(1/2インチ) | Cマウント(1インチ) |
インターフェース |
USB3.0 (パソコンダイレクト) PCI (Matrox Solios/Radient) 画像記録インターフェースBPU-30 |
USB3.0 (パソコンダイレクト) カメラ内画像記録型 最大蓄積102枚 |
主な用途 | ソーラーパネルの検査、農作物食品の検査、半導体の製造検査、赤外線イメージング、生体科学分野など |